পণ্যের বিবরণ
উৎপত্তি স্থল: চীন
পরিচিতিমুলক নাম: TC
মডেল নম্বার: OM5 মাল্টিমোড
পেমেন্ট এবং শিপিং শর্তাবলী
শূন্য বিচ্ছুরণ তরঙ্গদৈর্ঘ্য: |
1295-1320 এনএম |
আংশিক বিচ্ছিন্নতা: |
≤ 0.1 ডিবি |
ক্ষয় Inhomogeneity: |
≤ 0.1 ডিবি |
মূল ব্যাস: |
50 ± 2.5 μm |
কোর অ বৃত্তাকার: |
≤ 5.0 % |
ক্ল্যাডিং ব্যাস: |
125 ± 1 μm |
টেনশন টেস্টিং: |
≥ 9.0 এন |
গতিশীল ক্লান্তি পরামিতি: |
≥ 25 |
শূন্য বিচ্ছুরণ তরঙ্গদৈর্ঘ্য: |
1295-1320 এনএম |
আংশিক বিচ্ছিন্নতা: |
≤ 0.1 ডিবি |
ক্ষয় Inhomogeneity: |
≤ 0.1 ডিবি |
মূল ব্যাস: |
50 ± 2.5 μm |
কোর অ বৃত্তাকার: |
≤ 5.0 % |
ক্ল্যাডিং ব্যাস: |
125 ± 1 μm |
টেনশন টেস্টিং: |
≥ 9.0 এন |
গতিশীল ক্লান্তি পরামিতি: |
≥ 25 |
পণ্য প্রয়োগ
50/125μm OM5 ফাইবার হল সর্বশেষ গ্রেড-ইনডেক্স মাল্টিমোড টাইপ একটি 50μm কোর ব্যাস এবং একটি 125μm cladding ব্যাস।
এর কার্যকর মোডাল ব্যান্ডউইথ (EMB) 953nm তরঙ্গদৈর্ঘ্যের প্রয়োজনীয়তা বৃদ্ধি করা হয়েছে।OM5, ওয়াইডব্যান্ড মাল্টিমোড ফাইবার (WBMMF) নামে পরিচিত, সমর্থন করে 150 মি ট্রান্সমিশন SWDM প্রযুক্তির উপর ভিত্তি করে (850nm, 880nm, 910nm, 940nm তরঙ্গদৈর্ঘ্যে)।
পণ্যের বৈশিষ্ট্য
ফাইবারের জন্য আদর্শ 850nm, 880nm, 910nm, 940nm (SWDM) পাশাপাশি 1300nm অপারেটিং তরঙ্গদৈর্ঘ্য;এর কম ক্ষয় এবং উচ্চ ব্যান্ডউইথ IEEE802.3z গিগাবিট ইথারনেট ট্রান্সমিশনের জন্য অপ্টিমাইজ করা হয়েছে;তার আবরণ সুরক্ষা এবং কাচের সম্পত্তি চমৎকার কর্মক্ষমতা উপভোগ করে।
প্রযুক্তিগত বিবরণ
| অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য | শর্তাবলী | ডেটা | ইউনিট |
| মনন | 850nm | ≤2.30 | ডিবি / কিমি |
| 953nm | ≤1.70 | ডিবি / কিমি | |
| 1300nm | ≤0.60 | ডিবি / কিমি | |
| ইনজেকশন ব্যান্ডউইথ | 850nm | ≥3500 | MHz.km |
| 953nm | -1850 | MHz.km | |
| 1300nm | 500 ডলার | MHz.km | |
| 400Gb/s ইথারনেটের দৈর্ঘ্য | 150 | মি | |
| সংখ্যাসূচক অ্যাপারচার (NA) | 0.200 ± 0.015 | ||
| গ্রুপ প্রতিসরাঙ্ক সূচক | 850nm | 1.482 | |
| 1300nm | 1.477 | ||
| শূন্য বিচ্ছুরণ তরঙ্গদৈর্ঘ্য | 1295-1320nm | ||
| শূন্য বিচ্ছুরণ Slাল | 1295nm -1300nm | ≤0.001 | ps/(nm · km) |
| 1300nm-1320nm | -0.11 | ps/(nm · km) | |
| ম্যাক্রোবেন্ড লস, 2 সার্কেল, 15 মিমি ব্যাসার্ধ | 850nm | ≤0.10 | ডিবি |
| 1300nm | -0.11 | ডিবি | |
| পিছনে ছড়িয়ে পড়া (1300nm) | শর্তাবলী | মান | ইউনিট |
| আংশিক বিচ্ছিন্নতা | ≤0.1 | ডিবি | |
| ক্ষয় Inhomogeneity | ≤0.1 | ডিবি | |
| দ্বি-দিকনির্দেশনা এবং পিছনে ছড়িয়ে ছিটিয়ে থাকার বিভিন্ন মান | ≤0.1 | ডিবি / কিমি |
| জ্যামিতিক বৈশিষ্ট্য | শর্তাবলী | মান | ইউনিট |
| কোর ব্যাস |
50 ± 2.5
|
- মি | |
| কোর অ বৃত্তাকার | ≤5.0 | % | |
| ক্ল্যাডিং ব্যাস | 125 ± 1 | - মি | |
| ক্ল্যাডিং নন-সার্কুলারিটি | -2.0 | % | |
| কোর/ক্ল্যাডিং কেন্দ্রীভূত বিচ্যুতি | ≤1.5 | - মি | |
| লেপ ব্যাস | 245 ± 10 | - মি | |
| Cladding/আবরণ ঘনত্ব বিচ্যুতি | ≤12.0 | - মি |
| পরিবেশগত বৈশিষ্ট্য (850nm এবং 1300nm) | শর্তাবলী | মান | ইউনিট |
| তাপমাত্রার অতিরিক্ত ক্ষয় | ≤0.1 | ডিবি / কিমি | |
| তাপমাত্রা এবং আর্দ্রতা বৃত্তের অতিরিক্ত ক্ষয় | ≤0.1 | ডিবি / কিমি | |
| নিমজ্জন বৃদ্ধির অতিরিক্ত ক্ষয়ক্ষতি | ≤0.20 | ডিবি / কিমি | |
| হাইড্রোথার্মাল হিটিং এর অতিরিক্ত ক্ষয়ক্ষতি | ≤0.20 | ডিবি / কিমি | |
| শুকনো তাপ বার্ধক্য | ≤0.20 | ডিবি / কিমি |
| যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য | শর্তাবলী | মান | ইউনিট |
| টেনশন টেস্টিং | -9.0 | এন | |
| ম্যাক্রোবেন্ড অতিরিক্ত ক্ষতি | 850nm | ≤0.5 | ডিবি |
| লেপ স্ট্রিপিং ফোর্স | সাধারণ গড় মান | 1.4 | এন |
| সর্বোচ্চ মূল্য | ≥1.3 ≤8.9 | এন | |
| গতিশীল ক্লান্তি পরামিতি (Nd) | ≥25 | ||
